Andreas Ostendorf, Prorektor für Forschung, Transfer und wissenschaftlichen Nachwuchs, hat sich den Förderatlas der DFG genau angesehen und Schlüsse für die RUB gezogen.
© RUB, Marquard

Auszeichnung Andreas Ostendorf ist neu in den „Photonics 100“

Der Bochumer Forscher zählt damit zu den einflussreichsten und innovativsten Persönlichkeiten auf dem Gebiet der Optik und Photonik.

Prof. Dr. Andreas Ostendorf wurde für das Jahr 2025 in die renommierte Liste der Photonics 100 aufgenommen. Diese Auszeichnung würdigt die 100 einflussreichsten und innovativsten Persönlichkeiten auf dem Gebiet der Optik und Photonik. Andreas Ostendorf leitet den Lehrstuhl für Laseranwendungstechnik an der Ruhr-Universität. Die Photonics 100 wird seit drei Jahren von der Fachzeitschrift „Electro Optics“ des Verlags Europa Science herausgegeben. 

Optik und Photonik

Die Optik untersucht das Verhalten und die Eigenschaften von Licht, während die Photonik dessen praktische Anwendungen, wie in der Lasertechnologie und medizinischen Diagnostik, ermöglicht.

Andreas Ostendorf und seine Gruppe forschen an der Anwendung von Femtosekunden-Laserpulsen von der Bulk-Mikrobearbeitung über die Dünnschichtbearbeitung bis hin zur Bearbeitung von 2D-Materialien. Der Forscher erklärt, dass bei der Massenbearbeitung die Erzeugung von Mikro- und Nanostrukturen ein wichtiges Ziel bei 2D-Materialien sei und dass Femtosekunden-Laserpulse die Phase des Materials steuern können, zum Beispiel den Übergang von Metall zu Halbleiter. „Dies ist ein wichtiger Prozess in der zukünftigen Mikroelektronik“, so Ostendorf.

Extrem dünne Materialien

Seine Gruppe will ein tieferes Verständnis der Wechselwirkung kurzer Laserpulse mit extrem dünnen Materialien erlangen und die Rolle des Substrats ermitteln. Laut Ostendorf sind Übergangsmetall-Dichalcogenide vielversprechende Materialien für die Zukunft der Mikroelektronik. „Mittels ALD-Beschichtung (Atomic Layer Deposition) können wir diese Materialien auf Waferebene bearbeiten, sogar bereichsselektiv“, erklärt er. Durch ultraschnelle Laserbearbeitung ist es dem Team gelungen, die amorphen Schichten zunächst in kristalline und später entweder in halbleitende oder metallische Schichten umzuwandeln. Dadurch wurde ein erster lateraler Halbleiter/Metall-Übergang erreicht. Die zukünftige Anwendung wird ein ultradünner Transistor sein.
 

Veröffentlicht

Mittwoch
30. Oktober 2024
10:23 Uhr

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